綜合集微網、中國証券報中証網今 (7) 日報導，三安光電 (600703-CN) 是中國 LED 龍頭，被譽為如同半導體業的紫光集團，

今年以來 LED 晶片需求旺盛，三安光電設備處於滿產狀態，產能供不應求。業界專家認為， 若以銷售金額來看，最快今年、最慢 2018 年，三安將成全球最大 LED 廠。

12 月 5 日晚間，三安光電發布投資總額 333 億人民幣 (含公共配套設施投資)， 全部項目 5 年內實現投產，7 年內全部項目實現達產，

經營期限不少於 25 年的公告，三安光電與福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府簽署《投資合作協議》的議案。

根據協議約定，三安光電擬在福建省泉州芯谷南安園區投資註冊成立一個或若干項目公司，

 公告表示福建泉州市與南安市為推動泉州芯谷南安園區盡快形成規模化生產的 III-V 族化合物半導體、集成電路的研發及產業基地，

提升 III-V 族化合物半導體、集成電路產業核心競爭力 。

中國証券報中証網報導，三安光電目前在砷化鎵、氮化鎵、碳化矽、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等化合物半導體領域優勢明顯，

包括外延片、晶片等產品在營收規模和產能規模上已具備全球話語權。此次投資規劃，將充分發揮公司產業協同效應，

鞏固公司行業地位，繼續提升市場占有率，成為具有全球影響力的化合物半導體企業。

三安光電預計投資總額 333 億人民幣，達產後，年營收約 270 億人民幣（按當前產品單價計算），是當前公司營收體量的 3 倍左右，公司體量將進一步放大。

該公告顯示，投資要點謀劃內生產業布局，做強做大化合物半導體。公司與福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府簽署《投資合作協議》，項目主要集中在以下產業化項目：

1、高端氮化鎵 LED 襯底、外延、晶片的研發與製造產業化項目；2、高端砷化鎵 LED 外延、晶片的研發與製造產業化項目；3、大功率氮化鎵激光器的研發與製造產業化項目。

4、光通訊器件的研發與製造產業化項目；5、射頻、濾波器的研發與製造產業化項目；6、功率型半導體（電力電子）的研發與製造產業化項目；

7、特種襯底材料研發與製造、特種封裝產品應用研發與製造產業化項目。

集微網今 (7) 日報導，今年以來 LED 晶片需求旺盛，三安光電設備處於滿產狀態，產能供不應求。10 月 25 日，三安光電發布 2017 年三季報，

公司前三季度實現營業收入 62.83 億人民幣，年增 40.05%；凈利潤為 23.78 億人民幣，年增 58.9559%；每股收益為 0.58 元人民幣。

三安光電表示，前三季度營收大漲主要為生產規模擴大，產銷量大幅增加。目前三安光電產能在全球市占率約 12%，持續擴產，並以全球市占率 30% 為目標。

三安光電預計，2017 年將會新增 100 台機台，提升並逐步釋放產能，持續擴大與同業的差距。

據透露，除了已經敲定的新機台，三安光電將會再繼續釋出 MOCVD 機台的大訂單，預計擴產動作將可望延續至 2019 年，持續釋放產能滿足需求。

中國証券網報導，根據集邦諮詢預計，2017 年中國照明市場規模將可達到 280 億人民幣，2020 年將達到 364 億人民幣，

2015-2020 年複合增長率達 9%。LED 市場維持高景氣度，三安光電作為 LED 晶片行業絕對龍頭，將深度收益行業的持續穩定發展。

此外，隨著 Mini-LED、Micro-LED 和小間距等新興下游市場的興起，LED 下游應用空間將持續擴大。

據報導，三安光電卡位 5G、物聯網等通訊射頻市場，戰略布局 GaAs/GaN 化合物半導體，目前產品已經進入多家客戶驗證階段，

並且有少量出貨；投資 9000 萬日元成立日本子公司，利用當地優勢資源，從事濾波器方向的研發工作；同時積極布局光通訊用光電探測器晶片，

具備從外延到晶片研發生產能力，未來有望在 5G 領域獲得更多話語權